江西硅通孔填充⼯艺

在不同电流密度下的分阶段电沉积实验展示了动态的硅通孔
(TSV) 填充过程。通过控制外加电流密度，可以获得对应于
TSV填充结果的不同形貌。具体来说，低电流密度 (4 mA/
cm 2 ) 会导致接缝缺陷填充，中等电流密度 (7 mA/cm 2 ) 会导
致⽆缺陷填充，⽽⾼电流密度 (10 mA/cm 2 )) 导致空洞缺陷填
充。填充系数分析表明，电流密度对TSV填充模型的影响是
由添加剂和铜离⼦的消耗和扩散的耦合效应触发的。此外，
镀层的形态演变表明局部沉积速率受镀层⼏何特征的影响。
硅通孔 (TSV) 是⼀种很有前途的三维 (3D) 封装技术，具有
⾼性能、减小封装体积、低功耗和多功能等优点。在 TSV ⼯
艺中，通常使用铜电化学沉积 (ECD) 进⾏的通孔填充步骤占
总成本的近 40% 。作为 TSV 的核⼼和关键技术，以小化⼯
艺时间和成本的⽆缺陷填充备受关注。

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北京汐源科技有限公司
随着电子产品 半导体产品不断的更新换代 在国家对高科技产业的大力支持下 汐源科技同时也为电子 半导体行业提供良好的保障。
汐源科技电子材料：
灌封胶:洛德 汉高 道康宁 陶氏 杜邦等。广泛应用于电子电源 厚膜电路 汽车电子 半导体封装等行业。
导电胶： 3M 北京ablestik 北京Emerson&Cuming等.用于半导体 LED等行业
实验设备：提供X-RAY FIB 显微镜等。FBI 武藏点胶机 诺信点胶机 灌封机 实验室仪器仪表 TSV电镀设备 键合机 平行封焊机。
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TSV 互连具有缩短路径和更薄的封装尺⼨等优点，被认为是三维集成的核
术。 TSV 结构如下图所示，在硅板上面有加⼯完成的通孔;在通孔内由内到外
依次为电镀铜柱、绝缘层和阻挡层。绝缘层的作用是将硅板和填充的导电 材料
之间进⾏隔离绝缘，材料通常选用⼆氧化硅。由于铜原⼦在 TSV 制 造⼯艺流
程中可能会穿透⼆氧化硅绝缘层，导致封装器件产品性能的下降 甚⾄失效，⼀
般用化学稳定性较⾼的⾦属材料在电镀铜和绝缘层之间加⼯ 阻挡层。后是用
于信号导通的电镀铜。

Ablestik：
导电银胶:主要经营有ABLEBOND 84-1A、84-1LMI、 84-1LMINB(B1)、 84-1LMISR4、84-1LMIT(T1)、 826-1DS、826-2、2600AT、2600BT、2185A、2030SC、2100A、3185、8290、8340、8360、8352L、968-2、979-1、71-1、JM7000等一系列产品,适用于半导体(IC)封装(如DIP/SOP/TO-92/BGA...)、LED(如普通发光二极管/LAMP/大功率管/数码管...)等领域,用于各种贴片、点胶、背胶等工艺.

绝缘胶:主要经营有ABLEBOND84-3、84-3J、84-3LV、84-3MV、789-3、789-4、2025D 、2025M、 2035SC 、8384、8387A、8387B、2039H、DX-10、DX-20-4等一系列产品,适用于半导体(IC)封装、摄像头(CMOS/CCD)工艺、LED、智能卡等领域,用于各种贴片、或有粘贴的等工艺.

UV胶:主要经营有ABLELUXHGA-3E、HGA-3S、A4021T、A4035T、A4039T、A4061T、A4083T、A4086T、A4088T、A4502、CC4310、AA50T 、BF-4 、OG RFI146T等一系列UV紫外固化胶,适用于光电、光电仪表、光纤、手机摄像头(CMOS)等领域;如手机摄像头Lens固定,光纤耦合器(Coupler),激光器(Laser),跳线(Jamper),衰减器(Attenuator),探测器(Detector)等。

胶膜:主要经营有ABLEFILM506 、508、550S、561K、570K、5020、5020K、5025E等一系列产品,适用于各种电子产品,军产品,电源等。
底部填充胶：FP4450、UF1173、4531、4451等系列。

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