关键词 |
山西硅晶碇切片胶,MEMS金丝,芯片导电胶,高导热灌封胶 |
面向地区 |
电沉积程序
预处理后，在不同的电流密度（4 mA/cm 2、5 mA/cm 2、7
mA/cm 2、10 mA/cm 2和15 mA/cm 2 ）下进⾏电化学沉积
（ECD）⼯艺) 在的时间段内。低电流密度条件（4 mA/cm 2）
和中等电流密度条件（7 mA/cm 2 ）的电沉积间隔分别为30
min和10 min。
深硅刻蚀设备
通常情况下，制造硅通孔(经常穿透多层⾦属和绝缘材料)采用深反 应离⼦刻蚀
技术(DRIE)，常用的深硅刻蚀技术又称为“Bosch(博⽒)” ⼯艺，有初发明该项
技术的公司命名。 如下图所示，⼀个标准Bosch⼯艺循环包括选择性刻蚀和钝
化两个步 骤，其中选择性刻蚀过程采用的是SF6和O2两种⽓体，钝化过程采用
的是 C4F8⽓体。在Bosch⼯艺过程中，利用SF6等离⼦体刻蚀硅衬底，接
着利用C4F8等离⼦体作为钝化物沉积在硅衬底上，在这些⽓体中加⼊O2 等离
⼦体，能够有效控制刻蚀速率与选择性。因此，在Bosch刻蚀过程中 很自然地
形成了⻉壳状的刻蚀侧壁。
玻璃通孔⾼密度布线
线路转移(CTT)和光敏介质嵌⼊法，是比较常用的⽅式。 CTT主要 包括两个过
程。⼀是精细RDL线预制，每⼀RDL层可以在可移动载体上单 制造⼀层薄导
电层，并在转移到基板上之前测试或检查细线成品率。精 细线路的形成采用细
线光刻和电解镀铜的⽅法，并且以薄铜箔作为镀层的 种⼦层
| 主营行业：灌封胶水 |
| 公司主营：灌封胶,三防漆,导电胶,导热垫片 |
| 采购产品：灌封胶，导热胶，导电胶，绝缘垫片 |
| 主营地区：北京 |
| 企业类型：有限责任公司(自然人投资或控股) |
| 注册资金：人民币2000000万 |
| 公司成立时间：2016-02-02 |
| 员工人数：小于50 |
| 经营模式：政府或其他机构 |
| 最近年检时间：2016年 |
| 登记机关：朝阳分局 |
| 经营范围：技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，销售社会公共安全设备、电子产品、仪器仪表，橡塑制品、五金交电（不从事实体店铺经营）、金属材料、化工产品（不含危险化学品）、计算机、软件及辅助设备。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。） |
| 公司邮编：100000 |
| 公司电话：010-65747411 |
| 公司网站：www.syource.com |
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